Samsung Foundry ossia le fonderie del produttore sudcoreano hanno annunciato l’inizio della produzione di massa dei chip di prima generazione a 3 nm.

I chip si basano sulla nuova architettura a transistor GAA (Gate-All-Around), che rappresenta l’evoluzione rispetto alla tecnologia FinFET utiizzata fino ad oggi. Rispetto ai chip da 5 nm, i chip Samsung a 3 nm di prima generazione saranno in grado di fornire prestazioni migliori fino al 23%, consumi energetici ridotti fino al 45% e una riduzione della superficie del 16%.

La mossa di Samsung anticipa quella della TSMC, che dovrebbe iniziare la produzione di massa di chip a 3 nm nella seconda metà dell’anno.

Lo speciale design Gate-All-Around (GAA) consentirà a Samsung di ridurre il numero di transistor, senza pregiudicare la loro capacità di trasportare corrente.

La produzione di Samsung mira a fornire alcuni fra gli storici clienti del gruppo asiatico, fra cui Apple e Qualcomm.

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